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托木斯克国立大学与“芬普洛马托姆”公司合作在俄创建探测器材料生产技术

托木斯克国立大学“微电子先进技术中心的科学家与“芬普洛马托姆”有限责任公司合作,在托木斯克国立大学基地成功创建并实施了生产铬补偿砷化镓VGF HR-GaAs:Cr结构的新技术。该材料是用于工业、医学和科学的X射线彩色图像探测器的基础。这将促进仪器制造业的动态发展,并确保其免受国外组件供应的制约。相关工作是在俄罗斯联邦工业和贸易部的国家任务框架内完成的。

托木斯克国立大学“微电子先进技术中心”主任奥列格·托尔巴诺夫(Oleg Tolbanov)说道:“托木斯克国立大学的主要任务是开发和建立使用铬杂质补偿砷化镓的工艺流程,该流程已调整为使用国产材料。团队的任务还包括形成完整的程序-方法文件包,并确保结果的可重复性”。

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托木斯克国立大学“微电子先进技术中心”主任奥列格·托尔巴诺夫

探测器是应用于工业和现代研究的先进技术解决方案的必要基础。在限制日益严格的条件下,拥有自己的探测器对俄罗斯变得至关重要。此前,国内使用的是基于国外生产的砷化镓的设备,而这些设备现已无法获得。开发国产技术是确保国家技术领导力和主权道路上的重要一步。

据实验设计工作组成部分的总设计师安德烈·扎鲁宾(Andrey Zarubin)介绍,所开发的结构已通过所有规定的测试,并符合技术任务书的要求。就其运行特性而言,这些结构已达到不逊色于基于进口材料制造的样品的参数。

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实验设计工作组成部分的总设计师安德烈·扎鲁宾

值得注意的是,该材料的成分为探测器提供了独特的功能特性,包括最大的抗辐射性。正因为如此,铬补偿砷化镓被用于GINTOS探测器 中,该探测器由托木斯克国立大学和俄罗斯科学院西伯利亚分院核物理研究所为最先进的4+级同步辐射光源SKIF开发。该光源目前正在新西伯利亚附近的科利佐沃进行建设。

这项新技术为HR-GaAs:Cr在各领域的广泛应用开辟了广阔前景。特别是,该结构可用于生产多元传感器和数字多光谱矩阵X射线图像探测器,以满足工业探伤、医疗放射摄影和科学仪器制造的需求。此前,包括库尔恰托夫研究所-高能物理研究所、强流电子学研究所和新西伯利亚核物理研究所在内的主要科学中心已表示对该材料感兴趣。

工业合作伙伴“芬普洛马托姆”有限责任公司已开始与金砖国家和上海合作组织成员国企业进行谈判,商讨为科学和医疗应用供应此类结构。

托木斯克国立大学“微电子先进技术中心”

视频:托木斯克国立大学多媒体中心

此外,目前托木斯克国立大学微电子先进技术中心基地正在实施一系列重大项目,包括国家任务“基于Si、SiC、CdTe、CdZnTe、GaAs、Ga2O3、Al2O3单晶创建数字多光谱量子放射摄影探测器的物理技术基础,以利用同步辐射光源解决广泛的材料学任务,并创建科学、医疗和工业仪器制造系统”框架内的研究。

“芬普洛马托姆”有限责任公司是一家为工业解决大规模任务的公司,从前期项目研究、技术任务书开发、设备选型、对核电站和热电站项目所采用技术方案的审查,到设备的生产和交付给客户。该公司专家参与了几乎所有在俄罗斯联邦境内建设的核电站的技术设备设计和订单签订工作。